Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi 650V 11.6A, SiC Schottky Diode, 3-Pin DPAK FFSD0865BOS, Диод

1945750
Номер производителя: FFSD0865BПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
651.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, DPAK
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, DPAK

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

High UIS, Surge Current, and Avalanche
High Junction Temperature
Low Vf
No Qrr
49mJ @ 25C
Tj = 175C
1.41V
< 100nC
Applications
PFC

Техническая спецификация
pdfDatasheet FFSD0865B
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
11.6A
Пик неповторяющегося тока перегрузки в прямом направлении:
577A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
650В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип выпрямителя:
Schottky Diode
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию