Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFD6H852NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
Техническая спецификация
Datasheet NVMFD6H852NLWFT1G
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
31.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
25 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
10 нКл при 10 В
