Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 80 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD6H852NLT1GOS, МОП-транзистор

1952561
Номер производителя: NVMFD6H852NLT1GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 30 шт)
284.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFD6H852NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free

Техническая спецификация
pdfDatasheet NVMFD6H852NLT1G
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.05мм
Длина:
6.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
31.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
25 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
10 нКл при 10 В
Ширина:
5.1мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию