Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 74 A, 80 V, 8-Pin DFN ON Semiconductor NVMFD6H840NLT1G, МОП-транзистор

1952669
Номер производителя: NVMFD6H840NLT1GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 15 шт)
682.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFS5C410NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Application
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

Техническая спецификация
pdfDatasheet NVMFD6H840NLT1G
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.05мм
Длина:
6.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
8.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
74 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
32 нКл при 10 В
Ширина:
5.1мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию