Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET, 98 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK onsemi NVBG020N120SC1OS

1958970
Номер производителя: NVBG020N120SC1Производитель: onsemi
Цена за шт.
50212.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L

The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Qualified according to AEC−Q101

Техническая спецификация
pdfNVBG020N120SC1- Datasheet
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.028 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
98 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию