* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
100 % Rg and UIS tested
Document- SIDR638DP-T1-RE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.00088 Ω, 0.00116 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen IV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8DC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |