* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
Flexible leads provide resilience to mechanical stress
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics
Document- SIJ150DP-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0041 Ω, 0.00283 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen IV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8L
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |