Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS50DN-T1-GE3

2006847
Номер производителя: SISS50DN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
253.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay SISS50DN-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
100 % Rg and UIS tested

Техническая спецификация
pdfDocument- SISS50DN-T1-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0041 Ω, 0.00283 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
108 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen IV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8S
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию