* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET
Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package
100 % Rg and UIS tested
Document- SiSS63DN-T1-GE3Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.007 Ω, 0.0027 Ω, 0.0036 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
127.5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen III
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8S
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |