* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay SiZ240DT-T1-GE3 is a dual N-channel 40V (D-S) MOSFETs.
TrenchFET Gen IV power MOSFETs
Integrated MOSFET half-bridge power stage
100 % Rg and UIS tested
Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching characteristics
Document- SiZ240DT-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0133 Ω, 0.00805 Ω, 0.00841 Ω, 0.01225 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
47 A, 48 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen IV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAIR 3 x 3S
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |