Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD6N80AE-GE3

2006867
Номер производителя: SIHD6N80AE-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
351.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay SIHD6N80AE-GE3 is a E series power MOSFET.

Low figure-of-merit
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
Integrated Zener diode ESD protection

Техническая спецификация
pdfDocument- SIHD6N80AE-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
850 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.95 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.2 A, 5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
E
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию