* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay SiZ250DT-T1-GE3 is a dual N-channel 60V (D-S) MOSFETs.
TrenchFET Gen IV power MOSFETs
100 % Rg and UIS tested
Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching
characteristics
Document- SiZ250DT-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0122 Ω, 0.0127 Ω, 0.01811 Ω, 0.01887 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
38 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET® Gen IV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAIR 3 x 3FDC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |