* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
No reverse recovery charge in application current range
Switching behavior independent of temperature
High forward surge capability
Power efficient product
DataSheet - STPSC4H065B-TRDataSheet - STPSC4H065B-TRDataSheet - STPSC4H065B-TRКоличество контактов:
2
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
4A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
650В
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |