Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V

2010887
Номер производителя: SCTW90N65G2VПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
11657.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 119A and drain to source resistance 18m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances

Техническая спецификация
pdfDataSheet - SCTW90N65G2V
pdfDataSheet - SCTW90N65G2V
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.024 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
119 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTW90
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию