Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7

2010891
Номер производителя: SCTH35N65G2V-7Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
5042.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

Техническая спецификация
pdfDataSheet - SCTH35N65G2V-7
pdfDataSheet - SCTH35N65G2V-7
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.055 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTH35
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-7
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию