* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Datasheet - SCT20N120Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
239В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.203 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SiC MOSFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-2
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |