Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT10N120

2025476
Номер производителя: SCT10N120Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
3716.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SCT10N120
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.58 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
12 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Depletion
Серия:
SCT
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию