Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET Module, 38 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STWA65N60DM6

2025551
Номер производителя: STWA65N60DM6Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2688.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.

100% avalanche tested
Zener-protected

Техническая спецификация
pdfDatasheet - STWA65N60DM6
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.75В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.06 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
38 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Depletion
Серия:
ST
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию