Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET Transistor, 84 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NTH4L020N120SC1

2025697
Номер производителя: NTH4L020N120SC1Производитель: onsemi
Цена за шт.
11310.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC or DC converter, Boost inverter.

20mO drain to source on resistance
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Pb free
RoHS compliant

Техническая спецификация
pdfDatasheet - NTH4L020N120SC1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.3
Максимальное сопротивление стока источника:
0.028 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
84 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTH
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию