* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 20 mΩ, TO247-4L
The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 102 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.
AEC Q101 qualified
Production part approval process Capable
100% avalanche tested
Low effective output capacitance
Datasheet - NVH4L020N120SC1Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.028 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
102 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NVH
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |