Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET Transistor, 58 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 onsemi NVH4L040N120SC1

2025738
Номер производителя: NVH4L040N120SC1Производитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
13404.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, TO247-4L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 58 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified
Production part approval process Capable
100% avalanche tested
Low effective output capacitance

Техническая спецификация
pdfDatasheet - NVH4L040N120SC1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.056 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
58 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NVH
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию