* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Datasheet - SCTH50N120-7Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
5.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.065 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
55 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTH50N120-7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-7
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |