Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA35N65G2V

2043959
Номер производителя: SCTWA35N65G2VПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
4247.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of both on-resistance and switching losses is almost independent of junction temperature.

Low capacitance
Very fast and robust intrinsic body diode
Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Техническая спецификация
pdfdatasheet - SCTWA35N65G2V
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.072 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTWA35N65G2V
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию