* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
100 % Rg and UIS tested
Datasheet - SiJ128LDP-T1-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0156 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
25.5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SiJ128LDP
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8L
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |