* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). It is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
100 % Rg and UIS tested
Datasheet - SiR104LDP-T1-RE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0061 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
81 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SiR104LDP
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |