* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
Datasheet - SIHB17N80E-GE3Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.29 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
15 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SiHB17N80E
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |