Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD Vishay SISF06DN-T1-GE3

2047260
Номер производителя: SISF06DN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
343.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance
TrenchFET Gen IV power MOSFET

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SISF06DN-T1-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0045 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
101 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SiSF06DN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8SCD
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию