* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (Coss) profile
100% avalanche tested
Zener-protected
Datasheet - STN6N60M2Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.25 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5.5 A
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STN6N60M2
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |