Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL080N120SC1A

2052502
Номер производителя: NTHL080N120SC1AПроизводитель: onsemi
Цена за шт.
4157.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

The ON Semiconductor NTH series SiC N-channel 1200V MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Continuous Drain Current rating is 31A
Drain to source on resistance rating is 110mohm
High speed switching and low capacitance
100% UIL tested
Low effective output capacitance
Package type is TO-247-3LD

Техническая спецификация
pdfDatasheet - NTHL080N120SC1A
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
110 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
31 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NTH
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию