* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.88W thermal power dissipation.
Low input capacitance
Fast switching speed
Datasheet - DMN3061SVT-7Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.2 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.4 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
DMN3061
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOT-26
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |