* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Low drain-source on-resistance 0.08 ?
Storage temperature -55 to 150°C
Datasheet - TK099V65Z,LQ(SКанал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.09 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TK099V65Z
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN8x8
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |