* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties. It is mainly used in high-efficiency DC-DC converters, switching voltage regulators and motor drivers.
Low drain-source on-resistance 1.0 m?
Storage temperature -55 to 175°C
Datasheet - TPH1R306PL,L1Q(MКанал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.3 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Материал транзистора:
Silicon
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TPH1R306PL
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOP
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |