* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Vishay 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode with forward Current of 8A.
Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
Virtually no recovery tail and no switching losses
Temperature invariant switching behaviour
175 °C maximum operating junction temperature
MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
Datasheet - VS-C08ET07T-M3Количество контактов:
3
Конфигурация диода:
Single
Максимальный постоянный прямой ток:
8A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
650В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип выпрямителя:
Schottky Diode
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
2L TO-220AC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |