Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD11N80AE-GE3

2104979
Номер производителя: SIHD11N80AE-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
532.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
Integrated Zener diode ESD protection

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SIHD11N80AE-GE3
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
2 → 4V
Максимальное сопротивление стока источника:
0.391 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8 A
Серия:
E
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию