* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
SiC MOSFET
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability.
High speed switching performance
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
DataSheet - SCT1000N170Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
1700 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.9В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.66 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCT1000N170
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |