* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
SiC MOSFET
The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.
Very low switching losses
Low power losses at high temperatures
Higher operating temperature (up to 200 ˚C)
Body diode with no recovery losses
Easy to drive
DataSheet - SCTWA40N120G2V-4Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.07 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Материал транзистора:
SiC
Серия:
SCTWA40N120G2V-4
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247-4
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |