* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Datasheet - SCTL35N65G2VКанал - тип:
N
Количество контактов:
5
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.067 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTL35N65G2V
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerFLAT 8 x 8 HV
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |