Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4

2133945
Номер производителя: SCTWA90N65G2V-4Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
12090.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency

Техническая спецификация
pdfDatasheet - SCTWA90N65G2V-4
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.024 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
119 A
Материал транзистора:
SiC
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCTWA90N65G2V-4
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247-4
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию