Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB017N10N5LFATMA1

2144364
Номер производителя: IPB017N10N5LFATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2710.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)

OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

Summary of Features

•Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)

•High max. pulse current

•High continuous pulse current

Benefits

•Rugged linear mode operation

•Low conduction losses

•Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Potential Applications

•Telecom

•Battery management

Техническая спецификация
pdfIPB017N10N5LFATMA1 Datasheet
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0017 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK-7
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию