* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche
It is lead-free
Техническая спецификация
Datasheet - IRF3205ZLPBFКанал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0065 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
110 A
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
I2PAK (TO-262)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |