* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon combines the latest Automotive HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced packaging platform to achieve exceptional performance in a package that has the footprint of an SO-8 or 5X6mm PQFN and only 0.7mm profile. The package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques etc. The package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.
Advanced Process Technology
Logic Level
High Power Density
Datasheet - AUIRL7736M2TRКанал - тип:
N
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.003 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
112 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HEXFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DirectFET ISOMETRIC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |