Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPA60R180P7SXKSA1

2148996
Номер производителя: IPA60R180P7SXKSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
440.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon CoolMOS 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 series is the successor to the CoolMOS P6 series. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact and much cooler.

Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products
Suitable for hard and soft switching due to an outstanding commutation ruggedness

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPA60R180P7SXKSA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
0.18 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
18 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS P7
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 FP
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию