Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1

2149047
Номер производителя: IPD70R1K4P7SAUMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
156.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

It has Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
700 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.4 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS P7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-252
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию