Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R3K3P7ATMA1

2149051
Номер производителя: IPD80R3K3P7ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
108.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. These are recommended for hard and soft switching fly back topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and Industrial power.

It comes with Fully optimized portfolio
Integrated Zener Diode ESD protection

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD80R3K3P7ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.3 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.9 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS P7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-252
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию