Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual Infineon IPG20N06S4L11AATMA1

2149062
Номер производителя: IPG20N06S4L11AATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
444.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPG20N06S4L11AATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0112 O
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS-T2
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SuperSO8 5 x 6 Dual
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию