Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Infineon BSC034N03LSGATMA1

2152459
Номер производителя: BSC034N03LSGATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
265.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon OptiMOS™3 Power-MOSFET series has 30V maximum drain source voltage with SuperSO8 5x6 package type. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).

Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel
Logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC034N03LSGATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0051 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SuperSO8 5 x 6
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию