Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V, 3-Pin SC-59 Infineon BSR315PH6327XTSA1

2152469
Номер производителя: BSR315PH6327XTSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
144.30 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon SIPMOS® Small-Signal-Transistor P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -20V maximum drain source voltage with SOT-23 package type. The Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. The BSS84P is a p-channel enhancement mode MOSFET in a small surface mount package with superior switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications.

Enhancement mode
Logic level
Avalanche rated
Fast switching
Dv/dt rated
Pb-free lead-plating

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSR315PH6327XTSA1
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.8 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
620 мА
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SIPMOS®
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-59
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию