* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
N-channel, normal level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free lead plating
Qualified according to JEDEC for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Datasheet - IPD33CN10NGATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.033 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
27 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS™ 2
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |