Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R2K0P7ATMA1

2152514
Номер производителя: IPD80R2K0P7ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
230.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio

Техническая спецификация
pdfDatasheet - IPD80R2K0P7ATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
800V CoolMOS™ P7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию