* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package.
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low RDSon
Datasheet - IPD90N06S4L03ATMA2Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.2В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.0035 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
90 A
Материал транзистора:
Si
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS®-T2
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |